12月26日消息，近期台积电宣布扩大美国投资，外派工程师赴美支援，引发“去台化”疑虑。据中国台湾媒体报道，台积电将于12月29日举行3nm量产暨扩厂典礼，罕见以实际行动宣示持续深耕台湾的决心，化解外界疑虑。
根据台积电发出活动通知显示，预计将于12月29日在台南科学园区的晶圆18厂新建工程基地，举行3nm量产暨扩厂典礼，届时将有上梁仪式。值得注意的是，在今年的6月30日，三星电子抢先宣布了3nm GAA技术的量产，并于7月25日举行了3nm GAA制程芯片的出厂仪式。显然，从时间上来看，台积电3nm量产时间比三星晚了近半年。
台积电总裁魏哲家于今年台积电台湾技术论坛中说，3nm技术发展很困难，有好多客户踊跃合作，台积电3nm沿用鳍式场效晶体管（FinFET）架构，是经过考虑良久，制程技术推出不是好看、要实用，要协助客户让产品持续推进。
相较于5nm，台积电3奈米制程技术的逻辑密度将增加70%，在相同功耗下速度提升10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%。预计，苹果（Apple）及英特尔（Intel）等客户都将采用台积电3nm制程。
台积电的南科晶圆18厂是5nm及3nm的生产基地，其中，晶圆18厂5期至9期厂房是3nm生产基地。
台积电美国亚利桑那州厂第1期工程，预计2024年量产4nm；第2期工程开始兴建，预计2026年生产3nm制程，两期工程总投资金额约400亿美元，两期工程完工后合计将年产超过60万片晶圆。不过，从量产时间点上来看，台积电美国厂3nm量产时间要比台湾晚近4年的时间。而根据台积电的计划，其将于2025年量产2nm。也就是说，台积电美国厂的最先进制程将会比台湾厂的最先进制程晚一代以上。
